Samsung начнет серийное производство 3-нм чипов в третьем квартале
Обещано улучшение всех показателей В минувший четверг Samsung заявила, что находится в шаге от начала серийного производства чипов с использованием своего технологического процесса 3GAE (3-нм класс Gate all-round Early). Начать массовый выпуск микросхем компания намерена в третьем квартале и это будут первые решения, где применяются полевые транзисторы с затвором (GAAFET). Цель начать выпуск таких […]